
【明報專訊】《施政報告》提出成立微電子研發院,立法會工商及創新科技事務委員會昨討論研發院籌備。政府提交文件指出,研發院政府全資擁有,董事局成員將包括微電子專家、學術研發及工業界人士和政府代表,預計就項目申請28.4億元撥款。研發院旨在推動本港微電子發展,主力研發第三代半導體包括碳化矽及氮化鎵,兩者應用層面廣,可用於新能源汽車、家電及電視機等,且設備局限較小,投資額亦較主流半導體低。
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【明報專訊】《施政報告》提出成立微電子研發院,立法會工商及創新科技事務委員會昨討論研發院籌備。政府提交文件指出,研發院政府全資擁有,董事局成員將包括微電子專家、學術研發及工業界人士和政府代表,預計就項目申請28.4億元撥款。研發院旨在推動本港微電子發展,主力研發第三代半導體包括碳化矽及氮化鎵,兩者應用層面廣,可用於新能源汽車、家電及電視機等,且設備局限較小,投資額亦較主流半導體低。
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